MOS管內(nèi)阻+二極管正向電壓測(cè)試儀使用說(shuō)明

 
MOS管內(nèi)阻二極管正向電壓測(cè)試儀
使用說(shuō)明書(shū)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
常州創(chuàng)新電子設(shè)備有限公司
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MOS管內(nèi)阻二極管正向VF測(cè)試儀使用說(shuō)明
本儀表用于測(cè)量MOS管內(nèi)阻和半導(dǎo)體二極管正向壓降VF
1. 技術(shù)參數(shù)：
正向電流選擇范圍IF  0.1A~12.0A       ±1％
(我公司還有其它型號(hào)從1-1000A的正向壓降測(cè)試儀，價(jià)格和型號(hào)不一樣，可以根據(jù)用戶(hù)需要定做)
MOS內(nèi)阻范圍最大4000毫歐。
正向壓降VF 0.000V~4.000V   ±1％ ±2個(gè)字
電流電壓     220V  ±10％   10VA
2. 使用方法：
  一，測(cè)量MOS管內(nèi)阻
     1 安鈕設(shè)定IF值
     
對(duì)于內(nèi)阻較大的MOS管，建議設(shè)置電流1.0A,因?yàn)镸OS是一個(gè)線(xiàn)性電阻，內(nèi)阻基本和電流無(wú)關(guān)。

將RDS和VF選擇開(kāi)關(guān)打到RDS(內(nèi)阻)，另外一個(gè)測(cè)量目標(biāo)打到上面插座位置，此刻在下面的插座上插上待測(cè)的MOS管，如圖所示，按動(dòng)測(cè)試按鈕一次，MOS管的內(nèi)阻就會(huì)顯示出來(lái)。如果被測(cè)的較大或者設(shè)置電流過(guò)大可能會(huì)顯示滿(mǎn)度。
二，二極管正向壓降測(cè)量。
首先確認(rèn)被測(cè)二極管的封裝形式，軸向型二極管，可以用配套的測(cè)試臺(tái)，如果是TO220之類(lèi)的二極管，可以用MOS的插座（D為二極管+，S為二極管-），然后相應(yīng)選擇測(cè)量目標(biāo)是插座還是接線(xiàn)柱。
RDS和VF選擇開(kāi)關(guān)打到VF位置，根據(jù)要測(cè)試的二極管電流設(shè)定好電流IF值，按面板測(cè)試按鈕，LED數(shù)字顯示VF值。
您在使用中如果有技術(shù)問(wèn)題，可以致電13813561387（馬工），也可添加此號(hào)碼微信，本公司也可根據(jù)用戶(hù)需要定制各種測(cè)量方案.